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InGaAs短波红外探测器研究进展

张卫锋,  张若岚,  赵鲁生,  胡锐,  史衍丽

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文章导航 > 红外技术  > 2012 >  34(6): 361-365
张卫锋, 张若岚, 赵鲁生, 胡锐, 史衍丽. InGaAs短波红外探测器研究进展[J]. 红外技术, 2012, 34(6): 361-365. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011
引用本文: 张卫锋, 张若岚, 赵鲁生, 胡锐, 史衍丽. InGaAs短波红外探测器研究进展[J]. 红外技术, 2012, 34(6): 361-365. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011
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ZHANG Wei-feng, ZHANG Ruo-lan, ZHAO Lu-sheng, HU Rui, SHI Yan-li. Development Progress of InGaAs Short-wave Infrared Focal Plane Arrays[J]. Infrared Technology , 2012, 34(6): 361-365. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011
Citation: ZHANG Wei-feng, ZHANG Ruo-lan, ZHAO Lu-sheng, HU Rui, SHI Yan-li. Development Progress of InGaAs Short-wave Infrared Focal Plane Arrays[J]. Infrared Technology , 2012, 34(6): 361-365. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011
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InGaAs短波红外探测器研究进展

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.06.011

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650023

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金资助(U1037602)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Development Progress of InGaAs Short-wave Infrared Focal Plane Arrays

    摘要
  • 摘要: InxGa1 -xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87～3.5 μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料.InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用.同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍.
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