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InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

徐淑丽,  张国栋

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文章导航 > 红外技术  > 2012 >  34(3): 151-154
徐淑丽, 张国栋. InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究[J]. 红外技术, 2012, 34(3): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005
引用本文: 徐淑丽, 张国栋. InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究[J]. 红外技术, 2012, 34(3): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005
shu
XU Shu-li, ZHANG Guo-dong. Study on Technology of InSb Etched by Inductive Couple Plasmas Dry Etching[J]. Infrared Technology , 2012, 34(3): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005
Citation: XU Shu-li, ZHANG Guo-dong. Study on Technology of InSb Etched by Inductive Couple Plasmas Dry Etching[J]. Infrared Technology , 2012, 34(3): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005
shu

InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005

  • 中国空空导弹研究院光电器件研究所,河南洛阳,471009

  • 中国空空导弹研究院

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  • 中图分类号: TN304.2+3

Study on Technology of InSb Etched by Inductive Couple Plasmas Dry Etching

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