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640×512InGaAs探测器驱动电路设计

刘云芳,  李建伟,  李玉敏,  冯旗

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文章导航 > 红外技术  > 2012 >  34(3): 146-150
刘云芳, 李建伟, 李玉敏, 冯旗. 640×512InGaAs探测器驱动电路设计[J]. 红外技术, 2012, 34(3): 146-150. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.004
引用本文: 刘云芳, 李建伟, 李玉敏, 冯旗. 640×512InGaAs探测器驱动电路设计[J]. 红外技术, 2012, 34(3): 146-150. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.004
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LIU Yun-fang, LI Jian-wei, LI Yu-min, FENG Qi. A Design for Driving Circuit of 640 × 512 InGaAs Detector[J]. Infrared Technology , 2012, 34(3): 146-150. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.004
Citation: LIU Yun-fang, LI Jian-wei, LI Yu-min, FENG Qi. A Design for Driving Circuit of 640 × 512 InGaAs Detector[J]. Infrared Technology , 2012, 34(3): 146-150. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.004
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640×512InGaAs探测器驱动电路设计

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.004

  • 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院研究生院,北京100039

  • 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

A Design for Driving Circuit of 640 × 512 InGaAs Detector

    摘要
  • 摘要: 在介绍了640×512 InGaAs探测器工作原理的基础上,详细分析了InGaAs探测器驱动电路的组成原理、设计方法,重点是偏置电压电路、脉冲电压与控制信号驱动电路、探测器工作温度检测及控制电路的设计等关键技术.采用模拟PI温控电路保证了探测器内部制冷器在温控过程中对探测器无干扰,并能使探测器稳定地工作在合适的温度点,这样有利于提高仪器的信噪比.试验结果表明:该驱动电路满足系统要求,能用于工作温度比较宽的场合,并具有体积小、实用性好、可靠性高等特点.
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