新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析

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新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析

康冰心, 李煜, 白丕绩, 刘会平, 王博

文章导航 > 红外技术 > 2012 > 34(2): 95-98

康冰心, 李煜, 白丕绩, 刘会平, 王博. 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析[J]. 红外技术, 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

引用本文:

康冰心, 李煜, 白丕绩, 刘会平, 王博. 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析[J]. 红外技术, 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

KANG Bing-xin, LI Yu, BAI Pi-ji, LIU Hui-ping, WANG Bo. Design of A Novel Current Mirroring Integration Readout Integrated Circuit for Quantum Well Infrared Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

Citation:

KANG Bing-xin, LI Yu, BAI Pi-ji, LIU Hui-ping, WANG Bo. Design of A Novel Current Mirroring Integration Readout Integrated Circuit for Quantum Well Infrared Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

康冰心, 李煜, 白丕绩, 刘会平, 王博. 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析[J]. 红外技术, 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

引用本文:

康冰心, 李煜, 白丕绩, 刘会平, 王博. 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析[J]. 红外技术, 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

KANG Bing-xin, LI Yu, BAI Pi-ji, LIU Hui-ping, WANG Bo. Design of A Novel Current Mirroring Integration Readout Integrated Circuit for Quantum Well Infrared Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

Citation:

KANG Bing-xin, LI Yu, BAI Pi-ji, LIU Hui-ping, WANG Bo. Design of A Novel Current Mirroring Integration Readout Integrated Circuit for Quantum Well Infrared Photodetectors[J]. Infrared Technology , 2012, 34(2): 95-98. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.007

昆明物理研究所,云南昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国防预研基金项目

中图分类号: TN215
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出版历程

Design of A Novel Current Mirroring Integration Readout Integrated Circuit for Quantum Well Infrared Photodetectors

摘要: 设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路.该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调.由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围；为提高读出电路的性能,电路加入撇除( Skimming)方式的暗电流抑制电路.采用特许半导体(Chartered) 0.35μm标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25 pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子；输出摆幅达到1.76 V;功耗为25mW;动态范围为75dB；测试结果显示CMI可应用于高性能FPA.
- 量子阱探测器焦平面 /
- 读出电路 /
- 电流镜积分

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