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基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

李凯,  周云,  张慧敏,  蒋亚东

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文章导航 > 红外技术  > 2011 >  33(10): 602-605
李凯, 周云, 张慧敏, 蒋亚东. 基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源[J]. 红外技术, 2011, 33(10): 602-605. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.010
引用本文: 李凯, 周云, 张慧敏, 蒋亚东. 基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源[J]. 红外技术, 2011, 33(10): 602-605. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.010
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LI Kai, ZHOU Yun, ZHANG Hui-min, JIANG Ya-dong. Bandgap Reference Based On Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit[J]. Infrared Technology , 2011, 33(10): 602-605. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.010
Citation: LI Kai, ZHOU Yun, ZHANG Hui-min, JIANG Ya-dong. Bandgap Reference Based On Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit[J]. Infrared Technology , 2011, 33(10): 602-605. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.010
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基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.10.010

  • 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054

  • 电子科技大学

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(61021061)%电子科技大学富通翱翔计划科研基金(FTAX201013)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Bandgap Reference Based On Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit

    摘要
  • 摘要: 设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路.提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿.在0.5 μm CMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证.仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-20℃～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6×10-6℃-1和37.8×10-6℃-1.当电源电压为3.3V时,整个电路的功耗仅为0.17mW.
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