Heteroepitaxy of CdTe on Ge(211)Substrates by Molecular Beam Epitaxy
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摘要: 采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10 μm厚的CdTe(211)B薄膜.CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72 μm,偏差0.3 μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec; EPD平均值为4.5×106cm-2.通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8~9 μm.
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关键词:
- 分子束外延(MBE) /
- CdTe薄膜 /
- 半峰宽(FWHM) /
- 腐蚀坑密度(EPD)
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