Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

周原, 韦冬, 王茺, 杨宇

文章导航 > 红外技术 > 2011 > 33(7): 380-384

周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

引用本文:

周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

Citation:

ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

引用本文:

周原, 韦冬, 王茺, 杨宇. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟[J]. 红外技术, 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

Citation:

ZHOU Yuan, WEI Dong, WANG Chong, YANG Yu. Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(7): 380-384. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

云南大学光电信息材料研究所,云南,昆明,650091
云南大学

基金项目: 国家自然科学基金(10964016和10990101)%教育部科学技术研究重点项目(210207)%云南大学理工基金(2009E27Q)

中图分类号: TN213
计量
- 文章访问数: 88
- HTML全文浏览量: 25
- PDF下载量: 6
- 被引次数: 0
出版历程

Calculations of the Defect Distribution in the Self-ion Implanted Si Wafer

摘要: 在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si<'+>自注入si晶体的Si<'+>深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si<'+>的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si<'+>进一步深入的主导因素.论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因.
- SRIM程序 /
- Si+ /
- 自注入 /
- W缺陷 /
- D1线

参考文献(0)

资源附件(0)

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 88
HTML全文浏览量: 25
PDF下载量: 6
被引次数: 0

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发