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NEA GaN光电阴极的制备与评估

高频,  王晓晖,  杜玉杰,  李彪,  付晓倩

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文章导航 > 红外技术  > 2011 >  33(6): 332-335
高频, 王晓晖, 杜玉杰, 李彪, 付晓倩. NEA GaN光电阴极的制备与评估[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 332-335. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005
引用本文: 高频, 王晓晖, 杜玉杰, 李彪, 付晓倩. NEA GaN光电阴极的制备与评估[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 332-335. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005
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GAO Pin, WANG Xiao-hui, DU Yu-jie, LI Biao, FU Xiao-qian. Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 332-335. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005
Citation: GAO Pin, WANG Xiao-hui, DU Yu-jie, LI Biao, FU Xiao-qian. Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 332-335. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005
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NEA GaN光电阴极的制备与评估

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005

  • 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094

  • 南京理工大学

基金项目: 国家自然科学基金项目(60871012)
详细信息

  • 中图分类号: TN223

Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode

    摘要
  • 摘要: 对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEAGaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEAGaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%.
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