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光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

钱大憨,  贾嘉,  陈昱,  王韡,  汤亦聃,  朱龙源,  李向阳

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文章导航 > 红外技术  > 2011 >  33(6): 328-331,344
钱大憨, 贾嘉, 陈昱, 王韡, 汤亦聃, 朱龙源, 李向阳. 光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 328-331,344. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.004
引用本文: 钱大憨, 贾嘉, 陈昱, 王韡, 汤亦聃, 朱龙源, 李向阳. 光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 328-331,344. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.004
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QIAN Da-han, JIA Jia, CHENG Yu, WANG Wei, TANG Yi-dan, ZHU Long-yuang, LI Xiang-yang. The Evaluation of Curved Extended-electrode of HgCdTe IR Photoconductive Detector[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 328-331,344. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.004
Citation: QIAN Da-han, JIA Jia, CHENG Yu, WANG Wei, TANG Yi-dan, ZHU Long-yuang, LI Xiang-yang. The Evaluation of Curved Extended-electrode of HgCdTe IR Photoconductive Detector[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 328-331,344. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.004
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光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.004

  • 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039

  • 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金项目(60907048)%上海市自然科学基金项目(09ZR1436200)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

The Evaluation of Curved Extended-electrode of HgCdTe IR Photoconductive Detector

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