锑化铟的腐蚀特性研究

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锑化铟的腐蚀特性研究

何英杰, 王海珍

文章导航 > 红外技术 > 2011 > 33(6): 323-327

何英杰, 王海珍. 锑化铟的腐蚀特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

引用本文:

何英杰, 王海珍. 锑化铟的腐蚀特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

HE Ying-jie, WANG Hai-zhen. Study on Wet Etching Characteristic of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

Citation:

HE Ying-jie, WANG Hai-zhen. Study on Wet Etching Characteristic of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

何英杰, 王海珍. 锑化铟的腐蚀特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

引用本文:

何英杰, 王海珍. 锑化铟的腐蚀特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

HE Ying-jie, WANG Hai-zhen. Study on Wet Etching Characteristic of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

Citation:

HE Ying-jie, WANG Hai-zhen. Study on Wet Etching Characteristic of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

锑化铟的腐蚀特性研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.003

中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009
中国空空导弹研究院

中图分类号: TN213
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出版历程

Study on Wet Etching Characteristic of InSb Wafer

摘要: 研究了不同的腐蚀液对InSb表面及台面腐蚀特性,利用金相显微镜和轮廓仪对样品表面形貌和制作精度进行了表征.通过大量的实验对比,得到一种对InSb有很好腐蚀特性的腐蚀液,腐蚀速度易于控制,晶片腐蚀后的表面比较光滑、均匀;对台面的钻蚀小,提高了台面的制作精度及器件的性能,解决了现有工艺中的难题.
- InSb /
- 晶片 /
- 湿法腐蚀 /
- 制作精度

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