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入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究

高永芳,  时家明,  赵大鹏

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文章导航 > 红外技术  > 2011 >  33(4): 195-197,206
高永芳, 时家明, 赵大鹏. 入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 195-197,206. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003
引用本文: 高永芳, 时家明, 赵大鹏. 入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 195-197,206. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003
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GAO Yong-fang, SHI Jia-ming, ZHAO Da-peng. Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 195-197,206. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003
Citation: GAO Yong-fang, SHI Jia-ming, ZHAO Da-peng. Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 195-197,206. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003
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入射角度对一维光子晶体禁带的调制研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.003

  • 脉冲功率激光技术国家重点实验室,安徽,合肥,230037

  • 电子工程学院安徽省红外与低温等离子体重点实验室,安徽,合肥,230037

  • 解放军电子工程学院

基金项目: "新世纪优秀人才支持计划"资助项目%安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金资助项目(2007A005005E)
详细信息

  • 中图分类号: O434

Research on Modulation of Incidence Angle to Photonic Band Gap of One-dimensional Photonic Crystal

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