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非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究

余连杰,  史衍丽,  邓功荣,  李雄军,  杨丽丽,  何雯瑾

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文章导航 > 红外技术  > 2011 >  33(4): 190-194
余连杰, 史衍丽, 邓功荣, 李雄军, 杨丽丽, 何雯瑾. 非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 190-194. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.002
引用本文: 余连杰, 史衍丽, 邓功荣, 李雄军, 杨丽丽, 何雯瑾. 非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究[J]. 红外技术, 2011, 33(4): 190-194. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.002
shu
YU Lian-jie, SHI Yan-li, DENG Gong-rong, LI Xiong-jun, YANG Li-li, HE Wen-jin. The Research on Photoelectrical Properties of Amorphous HgTe Thin Films[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 190-194. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.002
Citation: YU Lian-jie, SHI Yan-li, DENG Gong-rong, LI Xiong-jun, YANG Li-li, HE Wen-jin. The Research on Photoelectrical Properties of Amorphous HgTe Thin Films[J]. Infrared Technology , 2011, 33(4): 190-194. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.002
shu

非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.04.002

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 云南省基金面上项目
详细信息

  • 中图分类号: TN304.8

The Research on Photoelectrical Properties of Amorphous HgTe Thin Films

    摘要
  • 摘要: 利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96eV,λ=632.8nm)作为激励光源,在80～300K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载流子的导电和复合机制.实验发现,在80～300 K温度范围内,非晶态HgTe薄膜的暗电导和稳定态光电导均具有热激活特性.暗电导存在2个温区:在低温区(80K≤T≤180K),激活能约15meV;在高温区(180K≤T≤300K),激活能约400meV.穗定态光电导则存在明显的3个温区:(1)当80K≤T≤180K时,光电导具有弱的热激活特性(激活能约20meV);(2)当180K≤T≤280K时,光电导具有强烈的热激活特性(激活能约120meV);(3)当T＞280K时,光电导出现"热淬灭"效应.在温度约280K时,光电导具有最大值,而光敏性则在约180 K时具有最大值.非晶态HgTe薄膜中存在两种导电机制:定域态电导和扩展态电导,180 K两种导电机制的温度分界点.研究结果表明,非晶态HgTe薄膜很适合制备高工作温度(约180K)红外探测器.
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