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一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

马娜,  吕坚,  蒋亚东

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文章导航 > 红外技术  > 2010 >  32(8): 457-461
马娜, 吕坚, 蒋亚东. 一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源[J]. 红外技术, 2010, 32(8): 457-461. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006
引用本文: 马娜, 吕坚, 蒋亚东. 一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源[J]. 红外技术, 2010, 32(8): 457-461. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006
shu
MA Na, LV Jian, JIANG Ya-dong. A Bandgap Reference For A Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit[J]. Infrared Technology , 2010, 32(8): 457-461. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006
Citation: MA Na, LV Jian, JIANG Ya-dong. A Bandgap Reference For A Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit[J]. Infrared Technology , 2010, 32(8): 457-461. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006
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一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.006

  • 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

  • 电子科技大学

基金项目: 国家自然科学基金(60736005)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

A Bandgap Reference For A Novel Uncooled IRFPA Readout Circuit

    摘要
  • 摘要: 设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的高精度、无电阻带隙基准低电压源电路.该电路通过Buck's电压转移单元代替电阻,并且采用正比与Ta的电流对VBE进行高阶补偿.在0.5μmCMOS工艺条件下,采用spectre进行模拟验证.模拟仿真结果表明:该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数:在电源电压从2.8 V变化到4.2 V时,输出电压波动小于3 mV;在0～75℃温度变化范围内,输出电压的最大变化范围为±0.75mV.
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