退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响

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退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响

李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌

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李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

引用本文:

李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

LI Xiong-jun, KONG Jin-cheng, WANG Guang-hua, YU Lian-jie, KONG Ling-de, YANG Li-li, QIU feng, LI Cong, JI Rong-bin. The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films[J]. Infrared Technology , 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

Citation:

LI Xiong-jun, KONG Jin-cheng, WANG Guang-hua, YU Lian-jie, KONG Ling-de, YANG Li-li, QIU feng, LI Cong, JI Rong-bin. The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films[J]. Infrared Technology , 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

引用本文:

李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

LI Xiong-jun, KONG Jin-cheng, WANG Guang-hua, YU Lian-jie, KONG Ling-de, YANG Li-li, QIU feng, LI Cong, JI Rong-bin. The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films[J]. Infrared Technology , 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

Citation:

LI Xiong-jun, KONG Jin-cheng, WANG Guang-hua, YU Lian-jie, KONG Ling-de, YANG Li-li, QIU feng, LI Cong, JI Rong-bin. The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films[J]. Infrared Technology , 2010, 32(5): 255-258. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002

昆明物理研究所,云南,昆明,650023
中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(60576069)

中图分类号: O742
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出版历程

The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films

摘要: 对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态.采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响.结果表明:经110℃,115℃和120℃退火后的a-MCT薄膜短程有序畴Rs由退火前的13.9 分别增大至17.9 、20.8 和26.2 ;光敏性则由原来的1.17,分别增加至退火后的2.01、2.67和4.25.
- 非晶态碲镉汞 (a-MCT) /
- 退火 /
- 双体相关函数 /
- 光敏性

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