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钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

付学成,  李金华,  谢建生,  袁宁一

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文章导航 > 红外技术  > 2010 >  32(3): 173-176
付学成, 李金华, 谢建生, 袁宁一. 钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(3): 173-176. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013
引用本文: 付学成, 李金华, 谢建生, 袁宁一. 钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(3): 173-176. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013
shu
FU Xue-cheng, LI Jin-hua, XIE Jian-sheng, YUAN Ning-yi. The Influence of Tantalum Doping on the Phase Transition of IBED VO_2 Polycrystalline Film[J]. Infrared Technology , 2010, 32(3): 173-176. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013
Citation: FU Xue-cheng, LI Jin-hua, XIE Jian-sheng, YUAN Ning-yi. The Influence of Tantalum Doping on the Phase Transition of IBED VO_2 Polycrystalline Film[J]. Infrared Technology , 2010, 32(3): 173-176. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013
shu

钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.03.013

  • 江苏工业学院电子科学与工程系,江苏,常州,213164

  • 常州大学

基金项目: 国家自然科学基金(60277019)
详细信息

  • 中图分类号: TB34

The Influence of Tantalum Doping on the Phase Transition of IBED VO_2 Polycrystalline Film

    摘要
  • 摘要: 将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因.
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