高级检索
ENGLISH

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究

朱炳金,  张国栋,  张向锋

downloadPDF
文章导航 > 红外技术  > 2009 >  31(8): 467-470
朱炳金, 张国栋, 张向锋. 电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究[J]. 红外技术, 2009, 31(8): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008
引用本文: 朱炳金, 张国栋, 张向锋. 电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究[J]. 红外技术, 2009, 31(8): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008
shu
Inductive Couple Plasmas Etching Processing of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2009, 31(8): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008
Citation: Inductive Couple Plasmas Etching Processing of InSb Wafer[J]. Infrared Technology , 2009, 31(8): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008
shu

电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008

  • 中国空空导弹研究院光电器件研究所,河南,洛阳,471009

  • 中国空空导弹研究院

详细信息

  • 中图分类号: TN304.2+3

Inductive Couple Plasmas Etching Processing of InSb Wafer

WeChat 点击查看大图
计量
  • 文章访问数:  87
  • HTML全文浏览量:  27
  • PDF下载量:  11
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发    百度统计