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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

龚晓霞,  苏玉辉,  雷胜琼,  万锐敏,  杨文运

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文章导航 > 红外技术  > 2009 >  31(4): 232-235
龚晓霞, 苏玉辉, 雷胜琼, 万锐敏, 杨文运. 锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计[J]. 红外技术, 2009, 31(4): 232-235. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
引用本文: 龚晓霞, 苏玉辉, 雷胜琼, 万锐敏, 杨文运. 锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计[J]. 红外技术, 2009, 31(4): 232-235. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
shu
GONG Xiao-xia, SU Yu-hui, LEI Sheng-qiong, WAN Rui-min, YANG Wen-yun. Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(4): 232-235. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
Citation: GONG Xiao-xia, SU Yu-hui, LEI Sheng-qiong, WAN Rui-min, YANG Wen-yun. Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(4): 232-235. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012
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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.04.012

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN213

Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices

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