P型GaN器件欧姆接触的研究进展

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P型GaN器件欧姆接触的研究进展

王忆锋, 唐利斌

文章导航 > 红外技术 > 2009 > 31(2): 69-76

王忆锋, 唐利斌. P型GaN器件欧姆接触的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

引用本文:

王忆锋, 唐利斌. P型GaN器件欧姆接触的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

Citation:

WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

王忆锋, 唐利斌. P型GaN器件欧姆接触的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

引用本文:

王忆锋, 唐利斌. P型GaN器件欧姆接触的研究进展[J]. 红外技术, 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

Citation:

WANG Yi-feng, TANG Li-bin. Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices[J]. Infrared Technology , 2009, 31(2): 69-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

P型GaN器件欧姆接触的研究进展

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

昆明物理研究所,云南,昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

中图分类号: TN304.2+3
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出版历程

Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices

摘要: Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究.低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备.制备稳定的P-GaN欧姆接触一直是一个挑战.主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进P-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展.
- GaN /
- 欧姆接触 /
- 紫外光子探测器 /
- 发光二极管 /
- 高电子迁移率晶体管 /
- 异质结场效应晶体管

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