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分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

苏栓,  李艳辉,  周旭昌,  杨春章,  谭英,  高丽华,  李全保

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文章导航 > 红外技术  > 2009 >  31(1): 5-7
苏栓, 李艳辉, 周旭昌, 杨春章, 谭英, 高丽华, 李全保. 分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究[J]. 红外技术, 2009, 31(1): 5-7. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002
引用本文: 苏栓, 李艳辉, 周旭昌, 杨春章, 谭英, 高丽华, 李全保. 分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究[J]. 红外技术, 2009, 31(1): 5-7. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002
shu
SU Shuan, LI Yan-hui, ZHOU Xu-chang, YANG Chun-zhang, TAN Ying, GAO Li-hua, LI Quan-bao. A Study of In Situ Annealing of MBE Growth Hg1-xCdxTe[J]. Infrared Technology , 2009, 31(1): 5-7. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002
Citation: SU Shuan, LI Yan-hui, ZHOU Xu-chang, YANG Chun-zhang, TAN Ying, GAO Li-hua, LI Quan-bao. A Study of In Situ Annealing of MBE Growth Hg1-xCdxTe[J]. Infrared Technology , 2009, 31(1): 5-7. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002
shu

分子束外延生长Hg1-χCdχTe材料原位退火研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.01.002

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(60576069)%装备预先研究项目
详细信息

  • 中图分类号: TN215

A Study of In Situ Annealing of MBE Growth Hg1-xCdxTe

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