高级检索
ENGLISH

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

曲海成,  李艳辉,  苏栓,  杨春章,  谭英,  高丽华,  王善力

downloadPDF
文章导航 > 红外技术  > 2008 >  30(12): 688-692
曲海成, 李艳辉, 苏栓, 杨春章, 谭英, 高丽华, 王善力. RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺[J]. 红外技术, 2008, 30(12): 688-692. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
引用本文: 曲海成, 李艳辉, 苏栓, 杨春章, 谭英, 高丽华, 王善力. RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺[J]. 红外技术, 2008, 30(12): 688-692. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
shu
QU Hai-Cheng, LI Yang-Hui, SU Shuan, YANG Chun-Zhang, TAN Ying, GAO Li-Hua, WANG Shan-Li. Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process[J]. Infrared Technology , 2008, 30(12): 688-692. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
Citation: QU Hai-Cheng, LI Yang-Hui, SU Shuan, YANG Chun-Zhang, TAN Ying, GAO Li-Hua, WANG Shan-Li. Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process[J]. Infrared Technology , 2008, 30(12): 688-692. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002
shu

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.12.002

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN213

Application of RHEED for Optimizing Middle Wavelength MBE-grown HgCdTe Process

WeChat 点击查看大图
计量
  • 文章访问数:  123
  • HTML全文浏览量:  23
  • PDF下载量:  7
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发    百度统计