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Ar离子注入P型MCT的反型分析

杨春丽,  杨文运,  朱惜辰

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文章导航 > 红外技术  > 2008 >  30(7): 409-411,415
杨春丽, 杨文运, 朱惜辰. Ar离子注入P型MCT的反型分析[J]. 红外技术, 2008, 30(7): 409-411,415. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011
引用本文: 杨春丽, 杨文运, 朱惜辰. Ar离子注入P型MCT的反型分析[J]. 红外技术, 2008, 30(7): 409-411,415. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011
shu
YANG Chun-li, YANG Wen-yun, ZHU Xi-chen. Principle of Type Conversion in Ar Ion Implanted P-type Hg0.29Cd0.71TE[J]. Infrared Technology , 2008, 30(7): 409-411,415. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011
Citation: YANG Chun-li, YANG Wen-yun, ZHU Xi-chen. Principle of Type Conversion in Ar Ion Implanted P-type Hg0.29Cd0.71TE[J]. Infrared Technology , 2008, 30(7): 409-411,415. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011
shu

Ar离子注入P型MCT的反型分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN213

Principle of Type Conversion in Ar Ion Implanted P-type Hg0.29Cd0.71TE

    摘要
  • 摘要: 对Ar离子注入P型MCT的反型进行了分析.由于Ar离子是中性离子,注入后反型的机理是否与B离子注入到P型MCT反型机理一致?我们根据B离子注入到P型MCT的模型进行了Ar离子注入反型的假设.经过实验验证了经Ar离子注入后,退火前不显现结整流特性,退火后显示出结整流特性,得到了Ar离子注入P型MCT中的反型大致与B离子注入到P型MCT反型结果一致.Ar离子注入后产生了大量的缺陷,形成剩余的Hg间隙原子被衍生缺陷所捕获,退火使得Hg间隙原子从衍生缺陷中逃逸出来而呈现低浓度的背景施主,造成了P型MCT的反型.
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