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金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应

张建新,  刘俊星,  李洪武

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文章导航 > 红外技术  > 2008 >  30(4): 234-237
张建新, 刘俊星, 李洪武. 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应[J]. 红外技术, 2008, 30(4): 234-237. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013
引用本文: 张建新, 刘俊星, 李洪武. 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应[J]. 红外技术, 2008, 30(4): 234-237. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013
shu
ZHANG Jian-xin, LIU Jun-xing, LI Hong-wu. Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron[J]. Infrared Technology , 2008, 30(4): 234-237. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013
Citation: ZHANG Jian-xin, LIU Jun-xing, LI Hong-wu. Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron[J]. Infrared Technology , 2008, 30(4): 234-237. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013
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金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013

  • 嘉兴学院,机电工程学院,浙江,嘉兴,314001

  • 嘉兴学院

详细信息

  • 中图分类号: TN315+.2

Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron

    摘要
  • 摘要: 金属.二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数.为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013～1×1014cm-2屯的电子束作为辐照源.实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷.通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了10-2cm-2.同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系.
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