高级检索
ENGLISH

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于GaN材料p型掺杂的研究进展

刘一兵,  黄新民,  刘安宁,  肖宏志

downloadPDF
文章导航 > 红外技术  > 2008 >  30(3): 146-149
刘一兵, 黄新民, 刘安宁, 肖宏志. 基于GaN材料p型掺杂的研究进展[J]. 红外技术, 2008, 30(3): 146-149. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007
引用本文: 刘一兵, 黄新民, 刘安宁, 肖宏志. 基于GaN材料p型掺杂的研究进展[J]. 红外技术, 2008, 30(3): 146-149. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007
shu
LIU Yi-Bing, HUANG Xin-Min, LIN An-Ning, XIAO Hong-Zhi. Research Progress Based on GaN Material p-type doped[J]. Infrared Technology , 2008, 30(3): 146-149. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007
Citation: LIU Yi-Bing, HUANG Xin-Min, LIN An-Ning, XIAO Hong-Zhi. Research Progress Based on GaN Material p-type doped[J]. Infrared Technology , 2008, 30(3): 146-149. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007
shu

基于GaN材料p型掺杂的研究进展

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007

  • 湖南大学,电气与信息工程学院,湖南,长沙,410082;邵阳职业技术学院机电工程系,湖南,邵阳,422000

  • 邵阳职业技术学院机电工程系,湖南,邵阳,422000

  • 湖南大学

  • 邵阳职业技术学院

基金项目: 邵阳职业技术学院重点科研项目
详细信息

  • 中图分类号: TN213

Research Progress Based on GaN Material p-type doped

WeChat 点击查看大图
计量
  • 文章访问数:  134
  • HTML全文浏览量:  25
  • PDF下载量:  12
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发    百度统计