碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析

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碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析

文章导航 > 红外技术 > 2008 > 30(2): 111-113

张梅, 黄晖. 碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析[J]. 红外技术, 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

引用本文:

张梅, 黄晖. 碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析[J]. 红外技术, 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

ZHANG Mei, HUANG Hui. The Analyses of Cadmium Zinc Telluride Wafers by Mechanical Chemical Polishing[J]. Infrared Technology , 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

Citation:

ZHANG Mei, HUANG Hui. The Analyses of Cadmium Zinc Telluride Wafers by Mechanical Chemical Polishing[J]. Infrared Technology , 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

张梅, 黄晖. 碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析[J]. 红外技术, 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

引用本文:

张梅, 黄晖. 碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析[J]. 红外技术, 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

ZHANG Mei, HUANG Hui. The Analyses of Cadmium Zinc Telluride Wafers by Mechanical Chemical Polishing[J]. Infrared Technology , 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

Citation:

ZHANG Mei, HUANG Hui. The Analyses of Cadmium Zinc Telluride Wafers by Mechanical Chemical Polishing[J]. Infrared Technology , 2008, 30(2): 111-113. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.02.013

张梅,
黄晖

昆明物理研究所,云南,昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

中图分类号: TN213
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出版历程

The Analyses of Cadmium Zinc Telluride Wafers by Mechanical Chemical Polishing

摘要: 对<111>方向的三块碲锌镉晶片进行了不同的机械磨抛、化学机械抛光、化学抛光,在相同的测量条件下用三维形貌干涉仪进行表面监测.比较了碲锌镉晶片不同的磨抛方法对碲锌镉晶片表面机械损伤的情况,开展了碲锌镉晶片不同的磨抛方法对损伤的去除程度的对比实验,进行了碲锌镉晶片表面粗糙度及平整度实现的研究.
- 碲锌镉 /
- 磨抛 /
- 粗糙度 /
- 平整度

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