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HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析

田亚芳,  余连杰,  史衍丽

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文章导航 > 红外技术  > 2007 >  29(11): 630-633
田亚芳, 余连杰, 史衍丽. HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析[J]. 红外技术, 2007, 29(11): 630-633. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.003
引用本文: 田亚芳, 余连杰, 史衍丽. HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析[J]. 红外技术, 2007, 29(11): 630-633. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.003
shu
TIAN Ya-fang, YU Lian-jie, SHI Yan-li. Reverse Bias Dark Current Mechanisms Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detector[J]. Infrared Technology , 2007, 29(11): 630-633. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.003
Citation: TIAN Ya-fang, YU Lian-jie, SHI Yan-li. Reverse Bias Dark Current Mechanisms Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detector[J]. Infrared Technology , 2007, 29(11): 630-633. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.003
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HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.003

  • 云南大学物理科学技术学院物理系,云南,昆明,650091;昆明物理所,云南,昆明,650223

  • 昆明物理所,云南,昆明,650223

  • 云南大学

  • 云南省昆明市物理所

基金项目: 云南省培引人才项目(2004PY01-30)
详细信息

  • 中图分类号: TN213

Reverse Bias Dark Current Mechanisms Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detector

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