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高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

赵鸿燕,  司俊杰,  丁嘉欣,  成彩晶,  张亮,  张向锋,  陈慧娟

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文章导航 > 红外技术  > 2007 >  29(10): 570-572
赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟. 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制[J]. 红外技术, 2007, 29(10): 570-572. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004
引用本文: 赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟. 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制[J]. 红外技术, 2007, 29(10): 570-572. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004
shu
ZHAO Hong-yan, SI Jun-jie, DING Jia-xin, CHENG Cai-jing, ZHANG Liang, ZHANG Xiang-feng, CHEN Hui-juan. The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(10): 570-572. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004
Citation: ZHAO Hong-yan, SI Jun-jie, DING Jia-xin, CHENG Cai-jing, ZHANG Liang, ZHANG Xiang-feng, CHEN Hui-juan. The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(10): 570-572. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004
shu

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004

  • 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

  • 中国空空导弹研究院

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  • 中图分类号: TN213

The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction

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