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CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究

杨玉林,  赵俊,  杨宇,  姬荣斌

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文章导航 > 红外技术  > 2007 >  29(2): 88-90
杨玉林, 赵俊, 杨宇, 姬荣斌. CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 88-90. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007
引用本文: 杨玉林, 赵俊, 杨宇, 姬荣斌. CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 88-90. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007
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YANG Yu-lin, ZHAO Jun, YANG Yu, JI Rong-bin. Study on Growth of CdTe/GaAs(111)B Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 88-90. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007
Citation: YANG Yu-lin, ZHAO Jun, YANG Yu, JI Rong-bin. Study on Growth of CdTe/GaAs(111)B Thin Film by MBE[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 88-90. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007
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CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223;云南大学,云南,昆明,650031

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 云南大学,云南,昆明,650031

  • 中国科学院昆明物理研究所

  • 云南大学

基金项目: 国家自然科学基金(60576069)%云南省自然科学基金(2004E0055M)
详细信息

  • 中图分类号: TN304

Study on Growth of CdTe/GaAs(111)B Thin Film by MBE

    摘要
  • 摘要: 采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底.通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低.为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础.
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