P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

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P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

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姚英. P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

引用本文:

姚英. P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

Mechanism Analysis of P-HgCdTe Ion Milling Junction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

Citation:

Mechanism Analysis of P-HgCdTe Ion Milling Junction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

姚英. P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

引用本文:

姚英. P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析[J]. 红外技术, 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

Mechanism Analysis of P-HgCdTe Ion Milling Junction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

Citation:

Mechanism Analysis of P-HgCdTe Ion Milling Junction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(2): 71-75. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

姚英

昆明物理研究所,云南,昆明,650223
中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国防科技预研项目

中图分类号: TN213
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出版历程

Mechanism Analysis of P-HgCdTe Ion Milling Junction

摘要: 从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数.
- HgCdTe /
- 环孔工艺 /
- 离子刻蚀 /
- P-N结

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