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垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

史衍丽

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文章导航 > 红外技术  > 2006 >  28(8): 474-477
史衍丽. 垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 474-477. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
引用本文: 史衍丽. 垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析[J]. 红外技术, 2006, 28(8): 474-477. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
shu
Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 474-477. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
Citation: Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2006, 28(8): 474-477. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010
shu

垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.010

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 云南省培引人才项目(2004PY01-30)
详细信息

  • 中图分类号: TN215

Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction

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