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激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构

陈贵宾,  全知觉,  陆卫

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文章导航 > 红外技术  > 2006 >  28(1): 12-15
陈贵宾, 全知觉, 陆卫. 激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构[J]. 红外技术, 2006, 28(1): 12-15. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.01.003
引用本文: 陈贵宾, 全知觉, 陆卫. 激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构[J]. 红外技术, 2006, 28(1): 12-15. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.01.003
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CHEN Gui-Bin, QUAN Zhi-Jue, LU Wei. Characterizing the HgCdTe Photovoltaic Devices by Laser Beam Induced Current Technique[J]. Infrared Technology , 2006, 28(1): 12-15. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.01.003
Citation: CHEN Gui-Bin, QUAN Zhi-Jue, LU Wei. Characterizing the HgCdTe Photovoltaic Devices by Laser Beam Induced Current Technique[J]. Infrared Technology , 2006, 28(1): 12-15. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.01.003
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激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.01.003

  • 淮阴师范学院物理系、低维材料化学省重点建设实验室,江苏,淮阴,223001;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 淮阴师范学院

  • 中国科学院上海技术物理研究所

基金项目: 中国科学院资助项目(10234040)%江苏省高校自然科学基金(05KJB140038)
详细信息

  • 中图分类号: TN249

Characterizing the HgCdTe Photovoltaic Devices by Laser Beam Induced Current Technique

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