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二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性

谢太斌,  李金华,  谢建生,  但迪迪,  范利宁,  袁宁一

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文章导航 > 红外技术  > 2005 >  27(5): 393-398
谢太斌, 李金华, 谢建生, 但迪迪, 范利宁, 袁宁一. 二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性[J]. 红外技术, 2005, 27(5): 393-398. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.011
引用本文: 谢太斌, 李金华, 谢建生, 但迪迪, 范利宁, 袁宁一. 二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性[J]. 红外技术, 2005, 27(5): 393-398. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.011
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XIE Tai-bin, LI Jin-hua, XIE Jian-sheng, DAN Di-di, FAN Li-ning, YUAN Ning-yi. Modification of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods[J]. Infrared Technology , 2005, 27(5): 393-398. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.011
Citation: XIE Tai-bin, LI Jin-hua, XIE Jian-sheng, DAN Di-di, FAN Li-ning, YUAN Ning-yi. Modification of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods[J]. Infrared Technology , 2005, 27(5): 393-398. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.011
shu

二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.011

  • 江苏工业学院功能材料实验室,江苏,常州,213016

  • 常州大学

基金项目: 国家自然科学基金(60277019)%江苏省自然科学基金(BK2005023)
详细信息

  • 中图分类号: TN213%O552.6%TB43

Modification of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods

    摘要
  • 摘要: 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质.研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高.综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点.综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数.
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