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碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究

李富培,  李玉德,  郭云成,  庄维莎,  刘新进

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文章导航 > 红外技术  > 2005 >  27(5): 384-387
李富培, 李玉德, 郭云成, 庄维莎, 刘新进. 碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究[J]. 红外技术, 2005, 27(5): 384-387. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009
引用本文: 李富培, 李玉德, 郭云成, 庄维莎, 刘新进. 碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究[J]. 红外技术, 2005, 27(5): 384-387. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009
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LI Fu-pei, LI Yu-de, GUO Yun-cheng, ZHANG Wei-sha, LIU Xin-jin. The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent[J]. Infrared Technology , 2005, 27(5): 384-387. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009
Citation: LI Fu-pei, LI Yu-de, GUO Yun-cheng, ZHANG Wei-sha, LIU Xin-jin. The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent[J]. Infrared Technology , 2005, 27(5): 384-387. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009
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碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.05.009

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

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  • 中图分类号: TN213

The Bulk Crystal Growth Technology of High Compositional Uniformity Hg1-xCdxTe Use Te as Solvent

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