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恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

王忆锋,  蔡毅

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文章导航 > 红外技术  > 2004 >  26(6): 41-44,47
王忆锋, 蔡毅. 恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算[J]. 红外技术, 2004, 26(6): 41-44,47. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.06.011
引用本文: 王忆锋, 蔡毅. 恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算[J]. 红外技术, 2004, 26(6): 41-44,47. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.06.011
shu
Calculation of Photocarrier Concentration of a 1-D Loophole HgCdTe PN Junction under Steady-State Incidence[J]. Infrared Technology , 2004, 26(6): 41-44,47. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.06.011
Citation: Calculation of Photocarrier Concentration of a 1-D Loophole HgCdTe PN Junction under Steady-State Incidence[J]. Infrared Technology , 2004, 26(6): 41-44,47. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.06.011
shu

恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2004.06.011

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN219

Calculation of Photocarrier Concentration of a 1-D Loophole HgCdTe PN Junction under Steady-State Incidence

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