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标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

郎佳红,  顾彪,  徐茵,  秦福文,  曲钢

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文章导航 > 红外技术  > 2003 >  25(6): 64-68
郎佳红, 顾彪, 徐茵, 秦福文, 曲钢. 标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 64-68. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018
引用本文: 郎佳红, 顾彪, 徐茵, 秦福文, 曲钢. 标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 64-68. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018
shu
Study of ECR-Plasma Cleaning of Sapphire Substrate Using RHEED[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 64-68. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018
Citation: Study of ECR-Plasma Cleaning of Sapphire Substrate Using RHEED[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 64-68. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018
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标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.018

  • 大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024

  • 大连理工大学

基金项目: 国家自然科学基金(69976008)
详细信息

  • 中图分类号: TN312.8

Study of ECR-Plasma Cleaning of Sapphire Substrate Using RHEED

    摘要
  • 摘要: 在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上,通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验,结果表明:经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大;按照经验清洗30 min是不能清洗充分的,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了;结果表明清洗得很充分的衬底经20 min的氮化出来,而未清洗充分的衬底20 min或更长的时间是不能氮化出来的.
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