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碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

黄晖,  李亚文,  马庆华,  陈建才,  姬荣斌

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文章导航 > 红外技术  > 2003 >  25(6): 42-44,48
黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌. 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 42-44,48. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012
引用本文: 黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌. 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 42-44,48. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012
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Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 42-44,48. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012
Citation: Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method[J]. Infrared Technology , 2003, 25(6): 42-44,48. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012
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碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: O472.3%TN213

Measurement on Minority Carrier Lifetime of Mercury Cadmium Telluride Material by Microwave Photoconductivity Decay Method

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