红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体

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红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体

马格林, 曹全喜, 黄云霞

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马格林, 曹全喜, 黄云霞. 红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

引用本文:

马格林, 曹全喜, 黄云霞. 红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

Citation:

Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

马格林, 曹全喜, 黄云霞. 红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

引用本文:

马格林, 曹全喜, 黄云霞. 红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

Citation:

Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 77-80. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.019

西安电子科技大学,陕西,西安,710071
西安电子科技大学

中图分类号: TB34%TB383
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出版历程

Materials of Infrared and Radar Multi-functional Camouflage--Doped Semi-conductor Oxide

摘要: 从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性,指出ZAO(掺铝氧化锌)作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的.
- 隐身材料 /
- 掺杂氧化物半导体 /
- ITO /
- ZAO

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