CdZnTe晶片的性能测试

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

CdZnTe晶片的性能测试

李国强, 华慧, 介万奇

文章导航 > 红外技术 > 2003 > 25(4): 69-72

李国强, 华慧, 介万奇. CdZnTe晶片的性能测试[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

引用本文:

李国强, 华慧, 介万奇. CdZnTe晶片的性能测试[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

Characterization Properties of CdZnTe Wafers[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

Citation:

Characterization Properties of CdZnTe Wafers[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

李国强, 华慧, 介万奇. CdZnTe晶片的性能测试[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

引用本文:

李国强, 华慧, 介万奇. CdZnTe晶片的性能测试[J]. 红外技术, 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

Characterization Properties of CdZnTe Wafers[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

Citation:

Characterization Properties of CdZnTe Wafers[J]. Infrared Technology , 2003, 25(4): 69-72. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

CdZnTe晶片的性能测试

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.04.017

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
西北工业大学

基金项目: 国家自然科学基金(59982006)%国家自然科学基金(59825109)

中图分类号: TN213
计量
- 文章访问数: 48
- HTML全文浏览量: 16
- PDF下载量: 5
- 被引次数: 0
出版历程

Characterization Properties of CdZnTe Wafers

摘要: 测试了多个Cd0.9Zn0.1Te晶片的性能,包括红外透过率、成分分布、位错密度、Te沉淀/夹杂密度以及电阻率.研究表明,红外透过率与性能有着密切的联系:红外透过率的大小及红外透过率图谱的形状可反映晶片的成分分布、位错密度以及电阻率的情况.从晶片对红外光的吸收机理出发,对这些联系进行了详细的分析.
- CdZnTe /
- 红外透过率 /
- 晶格吸收 /
- 自由载流子吸收

参考文献(0)

资源附件(0)

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 48
HTML全文浏览量: 16
PDF下载量: 5
被引次数: 0

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发