NEA光电阴极的表面模型

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NEA光电阴极的表面模型

杜晓晴, 常本康, 宗志园, 杜玉杰

文章导航 > 红外技术 > 2003 > 25(1): 68-71,81

杜晓晴, 常本康, 宗志园, 杜玉杰. NEA光电阴极的表面模型[J]. 红外技术, 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

引用本文:

杜晓晴, 常本康, 宗志园, 杜玉杰. NEA光电阴极的表面模型[J]. 红外技术, 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

Surface Models for NEA Photocathode[J]. Infrared Technology , 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

Citation:

Surface Models for NEA Photocathode[J]. Infrared Technology , 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

杜晓晴, 常本康, 宗志园, 杜玉杰. NEA光电阴极的表面模型[J]. 红外技术, 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

引用本文:

杜晓晴, 常本康, 宗志园, 杜玉杰. NEA光电阴极的表面模型[J]. 红外技术, 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

Surface Models for NEA Photocathode[J]. Infrared Technology , 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

Citation:

Surface Models for NEA Photocathode[J]. Infrared Technology , 2003, 25(1): 68-71,81. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

NEA光电阴极的表面模型

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.01.017

南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094
南京理工大学

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(1999028805)

中图分类号: TN214
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出版历程

Surface Models for NEA Photocathode

摘要: 回顾了NEA光电阴极不同的表面模型,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍.异质结模型可以成功解释P型GaAs和(Cs,O)激活层之间界面势垒的存在,但这种具有体效应的异质结无法与(Cs,O)层的厚度相统一;偶极子模型认为在阴极表面形成的偶极层导致了逸出功的下降,其双偶极层模型能较好地预测和解释最佳的(Cs,O)激活层厚度,但不同的双偶极层模型对于氧在表面层存在的化学形态存在争议;铯的弱核力场效应认为铯表面层的弱核力场及氧的离化作用是界面势垒和负电子亲和势的形成原因,但它所认为的逸出功降低与基底材料无关还需进一步验证.
- 表面模型 /
- NEA光电阴极 /
- 异质结 /
- 双偶极层 /
- 弱核力场

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