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HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

张朝阳,  蔡毅,  张鹏翔

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文章导航 > 红外技术  > 2002 >  24(5): 42-45
张朝阳, 蔡毅, 张鹏翔. HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究[J]. 红外技术, 2002, 24(5): 42-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011
引用本文: 张朝阳, 蔡毅, 张鹏翔. HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究[J]. 红外技术, 2002, 24(5): 42-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011
shu
The Manufacture of HgCdTe MIS Device and Its C-V Character[J]. Infrared Technology , 2002, 24(5): 42-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011
Citation: The Manufacture of HgCdTe MIS Device and Its C-V Character[J]. Infrared Technology , 2002, 24(5): 42-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011
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HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011

  • 昆明理工大学材料系,昆明,650051;昆明物理研究所,昆明,650223

  • 昆明物理研究所,昆明,650223

  • 昆明理工大学材料系,昆明,650051

  • 昆明理工大学

  • 中国科学院昆明物理研究所

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  • 中图分类号: TN215

The Manufacture of HgCdTe MIS Device and Its C-V Character

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