射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能

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射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能

郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生

文章导航 > 红外技术 > 2002 > 24(4): 49-52

郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生. 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能[J]. 红外技术, 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

引用本文:

郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生. 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能[J]. 红外技术, 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

Optical Properties of Gap Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Infrared Technology , 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

Citation:

Optical Properties of Gap Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Infrared Technology , 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生. 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能[J]. 红外技术, 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

引用本文:

郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生. 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能[J]. 红外技术, 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

Optical Properties of Gap Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Infrared Technology , 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

Citation:

Optical Properties of Gap Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Infrared Technology , 2002, 24(4): 49-52. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013

西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072
西北工业大学

基金项目: 航空科研项目(98G53104)%国防科技应用基础研究基金(J1500E002)

中图分类号: TN213
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出版历程

Optical Properties of Gap Film Prepared by RF Magnetron Sputtering

摘要: 采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm的GaP膜,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系.实验表明,GaP厚膜与基体结合性能较好,光学性能亦有所改善;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透过率净增5.69%,足以满足8～11.5 μm增透要求.
- GaP薄膜 /
- 射频磁控溅射 /
- 红外增透保护膜系 /
- ZnS衬底

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