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64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践

雷胜琼,  姜军,  周芳,  杨彬

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文章导航 > 红外技术  > 2002 >  24(2): 41-45
雷胜琼, 姜军, 周芳, 杨彬. 64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践[J]. 红外技术, 2002, 24(2): 41-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.011
引用本文: 雷胜琼, 姜军, 周芳, 杨彬. 64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践[J]. 红外技术, 2002, 24(2): 41-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.011
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The Indium Bumping Process Design and Application On 64×64FPAROIC[J]. Infrared Technology , 2002, 24(2): 41-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.011
Citation: The Indium Bumping Process Design and Application On 64×64FPAROIC[J]. Infrared Technology , 2002, 24(2): 41-45. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.011
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64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.011

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

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  • 中图分类号: TN215

The Indium Bumping Process Design and Application On 64×64FPAROIC

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