热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

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热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

刘力锋, 杨瑞霞, 郭惠

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刘力锋, 杨瑞霞, 郭惠. 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

引用本文:

刘力锋, 杨瑞霞, 郭惠. 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

Citation:

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

刘力锋, 杨瑞霞, 郭惠. 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

引用本文:

刘力锋, 杨瑞霞, 郭惠. 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

Citation:

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 30-33. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.009

河北工业大学,电气信息学院,天津,300130
河北工业大学

基金项目: 河北省自然科学基金(195051)

中图分类号: TN215
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出版历程

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching

摘要: 对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在500～1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响,讨论了热处理及淬火影响EL2浓度的机理.
- 半绝缘砷化镓 /
- 热处理 /
- 淬火 /
- EL2浓度 /
- 砷沉淀

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