环孔p-n结理论分析

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环孔p-n结理论分析

邢素霞, 蔡毅, 常本康

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邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

引用本文:

邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

Citation:

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

引用本文:

邢素霞, 蔡毅, 常本康. 环孔p-n结理论分析[J]. 红外技术, 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

Citation:

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction[J]. Infrared Technology , 2002, 24(1): 27-29,37. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

环孔p-n结理论分析

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.01.008

南京理工大学电光院,江苏,南京,210094
昆明物理研究所,云南,昆明,650223
南京理工大学
中国科学院昆明物理研究所

中图分类号: TN213
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出版历程

A Theoretical Analysis of Looppole p-n Junction

摘要: 在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触,建立了环孔p-n结的电流模型.根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和R0A的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响.最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了R0A在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线.从曲线可以得出:当截止波长在中波波段3～5 μm时,77～150 K的温度范围都可以使用,但只有在130 K或更低的温度下才有较好的性能.目前在中波段的R0A值已经达到109Ωcm2,比理论值要低2～3个数量级;对于8～10.4 μm波段,120 K以下都有性能,而10～14 μm波段,要工作在100 K温度之下.
- 环孔 /
- 漏电流

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