一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法

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一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法

刘向华, 仲顺安, 曲秀杰

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刘向华, 仲顺安, 曲秀杰. 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

引用本文:

刘向华, 仲顺安, 曲秀杰. 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

LIU Xiang-hua, ZHONG Shun-an, QU Xiu-jie. An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

Citation:

LIU Xiang-hua, ZHONG Shun-an, QU Xiu-jie. An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

刘向华, 仲顺安, 曲秀杰. 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

引用本文:

刘向华, 仲顺安, 曲秀杰. 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

LIU Xiang-hua, ZHONG Shun-an, QU Xiu-jie. An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

Citation:

LIU Xiang-hua, ZHONG Shun-an, QU Xiu-jie. An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 19-22. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006

北京理工大学电子工程系,
北京理工大学

中图分类号: TN213
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出版历程

An Ion Implantation Modeling of HgCdTe and Simulation Method

摘要: 给出了一种简单而有效的碲镉汞(MCT)离子注入工艺模型，研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法，最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。
- 碲镉汞 /
- 离子注入 /
- 模型 /
- 模拟

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