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Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

吴晓昆,  杨宇,  吴兴惠

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文章导航 > 红外技术  > 2001 >  23(1): 15-18
吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
引用本文: 吴晓昆, 杨宇, 吴兴惠. Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J]. 红外技术, 2001, 23(1): 15-18. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
shu
WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
Citation: WU xiao-kun, YANG Yu, WU Xing-hui. Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra[J]. Infrared Technology , 2001, 23(1): 15-18. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005
shu

Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.005

  • 云南大学材料科学与工程系,

  • 云南大学

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  • 中图分类号: O76

Theoretical Study for Determining the Ge Crystal-Size of Gex/Si1-x Multilayer by Raman Scattering Spectra

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