The Study of Arsenic Implanted HgCdTe for Laser Annealing
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摘要: 利用脉冲YAG激光器(脉宽为10ns,波长为1.06μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验,分析注入退火引起的样品电学性质的变化,认为激光退火能够消除辐射损伤,并激活注入杂质.同时对电导率-迁移率谱这一实验方法也做了较详细的说明.
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