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ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响

周咏东,  方家熊,  汤定元

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文章导航 > 红外技术  > 2000 >  22(3): 31-34,38
周咏东, 方家熊, 汤定元. ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响[J]. 红外技术, 2000, 22(3): 31-34,38. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009
引用本文: 周咏东, 方家熊, 汤定元. ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响[J]. 红外技术, 2000, 22(3): 31-34,38. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009
shu
ZHOU Yong-dong, FANG Jia-xiong, TANG Ding-yuan. The Study of the Influence of Surface Coating of ZnS on the HgCdTe Device[J]. Infrared Technology , 2000, 22(3): 31-34,38. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009
Citation: ZHOU Yong-dong, FANG Jia-xiong, TANG Ding-yuan. The Study of the Influence of Surface Coating of ZnS on the HgCdTe Device[J]. Infrared Technology , 2000, 22(3): 31-34,38. doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009
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ZnS对HgCdTe器件的表面覆盖及其输运特性的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-8891.2000.03.009

  • 苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

  • 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

  • 苏州大学

  • 中国科学院上海技术物理研究所

详细信息

  • 中图分类号: TN215

The Study of the Influence of Surface Coating of ZnS on the HgCdTe Device

    摘要
  • 摘要: 利用成熟的HgCdTe器件生产工艺制备了HgCdTe Hall器件,利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe Hall器件表面实现了ZnS介质薄膜的低温生长;用低温变磁场Hall测量技术对ZnS薄膜覆盖前后的Hall器件输运特性进行了研究,分析了ZnS薄膜的沉积生长对器件中HgCdTe晶体表面、体内载流子的分布、迁移率的影响.实验证明,利用文中的Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe器件表面进行ZnS介质膜生长不会引起器件HgCdTe晶格的损伤,且ZnS与器件界面的固定电荷呈正电荷,不会降低n-HgCdTe光导型虹外探测器器件的最终性能指标.
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