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拓扑绝缘体光电探测器研究进展

张玉平,  唐利斌

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文章导航 > 红外技术  > 2020 >  42(1): 1-9
张玉平, 唐利斌. 拓扑绝缘体光电探测器研究进展[J]. 红外技术, 2020, 42(1): 1-9.
引用本文: 张玉平, 唐利斌. 拓扑绝缘体光电探测器研究进展[J]. 红外技术, 2020, 42(1): 1-9.
shu
ZHANG Yuping, TANG Libin. Research Progress in Photodetectors Based on Topological Insulators[J]. Infrared Technology , 2020, 42(1): 1-9.
Citation: ZHANG Yuping, TANG Libin. Research Progress in Photodetectors Based on Topological Insulators[J]. Infrared Technology , 2020, 42(1): 1-9.
shu

拓扑绝缘体光电探测器研究进展

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国家重点研发计划(2019YFB2203404)%中国兵器创新团队项目(2017CX024)
详细信息

  • 中图分类号: TN204

Research Progress in Photodetectors Based on Topological Insulators

    摘要
  • 摘要: 由于拓扑绝缘体具有优异的光学和电学特性以及特殊的能带结构,使其在发展高性能的宽光谱光电探测器方面具有巨大的前景.然而由于拓扑绝缘体的发现较晚,其在光电探测器领域的研究还处于初始阶段.因而存在许多亟待解决的问题,如制备更高质量的拓扑绝缘体材料.本综述概述了拓扑绝缘体材料的发展历程,并从材料制备和材料体系的角度阐述了基于拓扑绝缘体材料的光电探测器的研究进展,并展望了拓扑绝缘体材料在光电探测器领域的发展前景.
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