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顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

钱福丽,  王光华,  杨启鸣,  段良飞,  高思博,  王灿,  周允红,  段瑜,  季华夏

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钱福丽, 王光华, 杨启鸣, 段良飞, 高思博, 王灿, 周允红, 段瑜, 季华夏. 顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究[J]. 红外技术, 2019, 41(10): 913-917.
引用本文: 钱福丽, 王光华, 杨启鸣, 段良飞, 高思博, 王灿, 周允红, 段瑜, 季华夏. 顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究[J]. 红外技术, 2019, 41(10): 913-917.
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QIAN Fuli, WANG Guanghua, YANG Qiming, DUAN Liangfei, GAO Sibo, WANG Can, ZHOU Yunhong, DUAN Yu, JI Huaxia. Research on the Performance of Luminescent Layer Doping in Top Emitting Monochrome Green OLED Micro-displays[J]. Infrared Technology , 2019, 41(10): 913-917.
Citation: QIAN Fuli, WANG Guanghua, YANG Qiming, DUAN Liangfei, GAO Sibo, WANG Can, ZHOU Yunhong, DUAN Yu, JI Huaxia. Research on the Performance of Luminescent Layer Doping in Top Emitting Monochrome Green OLED Micro-displays[J]. Infrared Technology , 2019, 41(10): 913-917.
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顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司,云南昆明,650223

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223

  • 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司

基金项目: 国家自然科学基金项目(61604064)%云南省应用基础研究面上项目(2016FB112)%云南省技术创新人才培养项目(2017HB111)
详细信息

  • 中图分类号: TN383.1

Research on the Performance of Luminescent Layer Doping in Top Emitting Monochrome Green OLED Micro-displays

    摘要
  • 摘要: 本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP∶Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg∶Ag.为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能.研究表明,在掺杂比分别为1.0％、1.5％、1.8％、2.0％、2.3％、2.5％的绿光OLED器件中,2.0％的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1∶0.02,主体材料薄膜厚度为250(A).在20 mA/cm2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622 cd/cm2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61).
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