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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

孙祥乐,  高思伟,  毛渲,  龚晓霞,  余黎静,  宋欣波,  柴圆媛,  尚发兰,  信思树,  太云见

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孙祥乐, 高思伟, 毛渲, 龚晓霞, 余黎静, 宋欣波, 柴圆媛, 尚发兰, 信思树, 太云见. 用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结[J]. 红外技术, 2019, 41(8): 742-749.
引用本文: 孙祥乐, 高思伟, 毛渲, 龚晓霞, 余黎静, 宋欣波, 柴圆媛, 尚发兰, 信思树, 太云见. 用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结[J]. 红外技术, 2019, 41(8): 742-749.
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SUN Xiangle, GAO Siwei, MAO Xuan, GONG Xiaoxia, YU Lijing, SONG Xinbo, CHAI Yuanyuan, SHANG Falan, XIN Sishu, TAI Yunjian. Applications of Electron Beam-induced Current at p-n Junction in InSb Devices[J]. Infrared Technology , 2019, 41(8): 742-749.
Citation: SUN Xiangle, GAO Siwei, MAO Xuan, GONG Xiaoxia, YU Lijing, SONG Xinbo, CHAI Yuanyuan, SHANG Falan, XIN Sishu, TAI Yunjian. Applications of Electron Beam-induced Current at p-n Junction in InSb Devices[J]. Infrared Technology , 2019, 41(8): 742-749.
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用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027

  • 中国科学院昆明物理研究所

  • 浙江大学

详细信息

  • 中图分类号: TN219

Applications of Electron Beam-induced Current at p-n Junction in InSb Devices

    摘要
  • 摘要: 能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数.本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结.同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80 K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm.用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小.作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点.
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